Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
16.12mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 12,62
€ 1,262 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,62
€ 1,262 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,262 | € 12,62 |
| 100 - 240 | € 1,196 | € 11,96 |
| 250 - 490 | € 1,073 | € 10,73 |
| 500 - 990 | € 1,007 | € 10,07 |
| 1000+ | € 0,935 | € 9,35 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
16.12mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


