Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 9,89
€ 1,978 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 9,89
€ 1,978 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,978 | € 9,89 |
| 50 - 120 | € 1,862 | € 9,31 |
| 125 - 245 | € 1,68 | € 8,40 |
| 250 - 495 | € 1,582 | € 7,91 |
| 500+ | € 1,487 | € 7,43 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
37 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
25 nC V @ 10
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


