Transistor MOSFET VISHAY canal N, SOT-223 2,7 A 60 V, 3+Tab broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.7 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3+Tab
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
2 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Prix sur demande
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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2 W
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±20 V
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