MOSFET Vishay canal N, TO-247AC 4,3 A 1 000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 44,78
€ 4,48 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 4,48 |
| 50 - 99 | € 4,06 |
| 100 - 249 | € 3,81 |
| 250+ | € 3,58 |
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
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