Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
47 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
Super-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
540 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
16.1mm
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
350 nC @ 10 V.
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.8mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
47 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
Super-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
540 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
16.1mm
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
350 nC @ 10 V.
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.8mm
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