TRANSISTOR MOSFET CANAL N - IRFR110

Brand

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

4.3 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

D-PAK

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

540 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,3 nC @ 10 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

2.39mm