Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 7,26
€ 0,726 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 7,26
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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