Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.7 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,75
€ 0,875 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 8,75
€ 0,875 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,875 | € 8,75 |
| 100 - 240 | € 0,832 | € 8,32 |
| 250 - 490 | € 0,744 | € 7,44 |
| 500 - 990 | € 0,70 | € 7,00 |
| 1000+ | € 0,594 | € 5,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.7 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.38mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


