MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 2 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.39mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
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150 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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