MOSFET Vishay canal N, SOIC 11,1 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11.1 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
ThunderFET
Type de boîtier
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
31 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
5.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
19,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, tension moyenne/ThunderFET® , Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 789,87
€ 0,316 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Si
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Charge de Grille type @ Vgs
19,6 nC @ 10 V
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Taille
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