MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 27 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
27 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de boîtier
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
11.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
195 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.78mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 96,60
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Série
TrenchFET
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PowerPAK 1212-8
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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-8 V, +8 V
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1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
195 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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