Thyristor Vishay, 330A, 200mA, 1200V, TO-118, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayCourant moyen à l'état passant
330A
Type de Thyristor
Thyristor
Type de boîtier
TO-118
Tension inverse de crête Répétitive
1200V
Courant de surcharge
9420A
Type de fixation
Stud
Courant de déclenchement de Grille maximum
200mA
Tension de déclenchement de Grille maximum
3V
Courant de maintien maximum
600mA
Nombre de broche
3
Dimensions
49 x 42.5 x 74.5mm
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
1200V
Tension de crête à l'état passant
1.52V
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Courant de crête répétitif à l'état bloqué
50mA
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Détails du produit
Thyristors à contrôle de phase, Vishay Semiconductor
Thyristors - Vishay Semiconductor
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
Encapsulated modules with electrically isolated base plate. Suitable for applications such as battery chargers, welders and plating equipment, regulated power supplies and temperature and speed control circuits.
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€ 843,32
€ 140,553 Each (In a Bag of 6) (hors TVA)
6
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
1200V
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Température d'utilisation maximum
+125 °C
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A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
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