Documents techniques
Spécifications
Brand
VishaySpectres détectés
Infrared
Temps de chute
2.3µs
Temps de croissance
2µs
Nombre de voies
1
Courant photoélectrique maximum
7000µA
Courant d'obscurité maximum
200nA
Angle de sensibilité moyenne
30 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
2
Type de fixation
Surface Mount
Type de boîtier
Subminiature
Dimensions
2.5 x 2 x 2.7mm
Courant de collecteur
50mA
Gamme spectrale de sensibilité
730 → 1 000 nm
Longueur d'onde minimum détectée
730nm
Longueur d'onde maximum détectée
1000nm
Longueur
2.5mm
Largeur
2mm
Hauteur
2.7mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Phototransistors série TEMT1000
Cette famille de phototransistors NPN silicium, de Vishay Semiconductor, est fournie dans des boîtiers subminiatures à montage en surface (CMS). Ils sont dotés d'un boîtier en plastique noir avec toute une gamme d'options de câbles, y compris en M (GW), en M inversé (RGW), à chape et à sortie axiale. Les boîtiers noirs fournissent un filtre de blocage de la lumière du jour aux phototransistors TEMT1000.
Les applications adaptées pour ces phototransistors incluent : les encodeurs, les compteurs, les photo-interrupteurs, les détecteurs IR pour les applications de lumière du jour et pour une utilisation en tant que détecteurs dans les circuits de commande électronique et d'entraînement.
Caractéristiques de la série TEMT1000 :
TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030 et TEMT1040
Boîtier subminiature
Montage en surface (CMS)
Boîtier en plastique noir
Grande variété de types de câbles
Forte sensibilité rayonnante
Temps de réponse rapides
Angle de diffusion : 15°
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
€ 335,84
€ 0,336 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 335,84
€ 0,336 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
1000 - 1000 | € 0,336 | € 335,84 |
2000+ | € 0,323 | € 323,15 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishaySpectres détectés
Infrared
Temps de chute
2.3µs
Temps de croissance
2µs
Nombre de voies
1
Courant photoélectrique maximum
7000µA
Courant d'obscurité maximum
200nA
Angle de sensibilité moyenne
30 °
Polarité
NPN
Nombre de broches
2
Type de fixation
Surface Mount
Type de boîtier
Subminiature
Dimensions
2.5 x 2 x 2.7mm
Courant de collecteur
50mA
Gamme spectrale de sensibilité
730 → 1 000 nm
Longueur d'onde minimum détectée
730nm
Longueur d'onde maximum détectée
1000nm
Longueur
2.5mm
Largeur
2mm
Hauteur
2.7mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Phototransistors série TEMT1000
Cette famille de phototransistors NPN silicium, de Vishay Semiconductor, est fournie dans des boîtiers subminiatures à montage en surface (CMS). Ils sont dotés d'un boîtier en plastique noir avec toute une gamme d'options de câbles, y compris en M (GW), en M inversé (RGW), à chape et à sortie axiale. Les boîtiers noirs fournissent un filtre de blocage de la lumière du jour aux phototransistors TEMT1000.
Les applications adaptées pour ces phototransistors incluent : les encodeurs, les compteurs, les photo-interrupteurs, les détecteurs IR pour les applications de lumière du jour et pour une utilisation en tant que détecteurs dans les circuits de commande électronique et d'entraînement.
Caractéristiques de la série TEMT1000 :
TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030 et TEMT1040
Boîtier subminiature
Montage en surface (CMS)
Boîtier en plastique noir
Grande variété de types de câbles
Forte sensibilité rayonnante
Temps de réponse rapides
Angle de diffusion : 15°