Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de montage
CMS
Type de conditionnement
DO-214AC (SMA)
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Rectifier
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
920mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
25ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Détails du produit
Diode de jonction au silicium de Vishay, ES1A, ES1B, ES1C, ES1D
CARACTERISTIQUES
Boîtier bas profil
Idéal pour le positionnement automatisé
Jonction de puce à pastilles passivées en verre
Temps de récupération ultrarapides pour un haut rendement
Faible tension directe, faibles pertes de puissance
Capacité de surtension élevée
Conforme à MSL niveau 1, conformément à J-STD-020, LF maximum Peak
De 260 °C.
Certifié AEC-Q101 disponible
- Code de commande automobile : P/NHE3 ou P/NHM3
Applications typiques
Pour une utilisation dans le redressement haute fréquence et la roue libre
Application dans les convertisseurs de mode de commutation et les inverseurs pour
Grand public, informatique, automobile et télécommunications.
Données MECANIQUES
Boîtier : SMA (DO-214AC)
La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Base P/N-M3 - sans halogène, conforme à la directive RoHS, commerciale
Classe
Base P/NHE3_X - conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101
Base P/NHM3_X - sans halogène, conforme à la directive RoHS, et
Certifié AEC-Q101
("_X" indique le code de révision, par exemple A, B, .)
Bornes : cordons étamés mat, soudables par
J-STD-002 et JESD 22-B102
Le suffixe E3, M3, HE3 et HM3 est conforme à la norme JESD 201 classe 2
Test de chuchotement
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
€ 1,32
€ 0,132 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
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VishayType de montage
CMS
Type de conditionnement
DO-214AC (SMA)
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Rectifier
Nombre de broches
2
Chute minimale de tension directe
920mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
25ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Détails du produit
Diode de jonction au silicium de Vishay, ES1A, ES1B, ES1C, ES1D
CARACTERISTIQUES
Boîtier bas profil
Idéal pour le positionnement automatisé
Jonction de puce à pastilles passivées en verre
Temps de récupération ultrarapides pour un haut rendement
Faible tension directe, faibles pertes de puissance
Capacité de surtension élevée
Conforme à MSL niveau 1, conformément à J-STD-020, LF maximum Peak
De 260 °C.
Certifié AEC-Q101 disponible
- Code de commande automobile : P/NHE3 ou P/NHM3
Applications typiques
Pour une utilisation dans le redressement haute fréquence et la roue libre
Application dans les convertisseurs de mode de commutation et les inverseurs pour
Grand public, informatique, automobile et télécommunications.
Données MECANIQUES
Boîtier : SMA (DO-214AC)
La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Base P/N-M3 - sans halogène, conforme à la directive RoHS, commerciale
Classe
Base P/NHE3_X - conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101
Base P/NHM3_X - sans halogène, conforme à la directive RoHS, et
Certifié AEC-Q101
("_X" indique le code de révision, par exemple A, B, .)
Bornes : cordons étamés mat, soudables par
J-STD-002 et JESD 22-B102
Le suffixe E3, M3, HE3 et HM3 est conforme à la norme JESD 201 classe 2
Test de chuchotement
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode