Dual Schottky Diode 120V 10A Trench SMPD
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de montage
CMS
Type de boîtier
TO-263AC
Courant direct continu maximum
10A
Tension inverse de crête répétitive
120V
Configuration de diode
Cathode commune
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
940mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
100A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Redresseurs barrière Schottky MOS Trench TMBS, jusqu'à 20 A, Vishay Semiconductor
La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS), de Vishay, contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation.
Caractéristiques
Structure à tranchée brevetée
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
Forte densité de puissance et faible tension directe
Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Configuration de diode
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Schottky
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2
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Schottky
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100A
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China
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Redresseurs barrière Schottky MOS Trench TMBS, jusqu'à 20 A, Vishay Semiconductor
La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS), de Vishay, contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation.
Caractéristiques
Structure à tranchée brevetée
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
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