Diode CMS Vishay, 60A, 100V, D2PAK (TO-263)

N° de stock RS: 818-4395Marque: VishayN° de pièce Mfr: VB60100C-E3/4W
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de montage

CMS

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Courant direct continu maximum

60A

Tension inverse de crête répétitive

100V

Configuration de diode

Cathode commune

Type de redressement

Redresseur Schottky

Type diode

Schottky

Nombre de broche

3

Chute minimale de tension directe

790mV

Nombre d'éléments par circuit

2

Technologie de diode

Barrière Schottky

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

320A

Pays d'origine

China

Détails du produit

TMBS - Redresseurs barrière Schottky MOS Trench, 30 à 80 A, Vishay Semiconductor

La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS), de Vishay, contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation.

Structure à tranchée brevetée
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
Forte densité de puissance et faible tension directe

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

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€ 9,07

€ 1,813 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,813€ 9,07
50 - 120€ 1,763€ 8,82
125 - 245€ 1,717€ 8,59
250 - 495€ 1,674€ 8,37
500+€ 1,633€ 8,16

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Configuration de diode

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Type de redressement

Redresseur Schottky

Type diode

Schottky

Nombre de broche

3

Chute minimale de tension directe

790mV

Nombre d'éléments par circuit

2

Technologie de diode

Barrière Schottky

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320A

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China

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TMBS - Redresseurs barrière Schottky MOS Trench, 30 à 80 A, Vishay Semiconductor

La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS), de Vishay, contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation.

Structure à tranchée brevetée
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
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