Diode traversante Vishay, 50A, 600V, TO-247AC
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de fixation
Through Hole
Type de conditionnement
TO-247AC
Courant direct continu maximum
50A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Redresseur à recouvrement
Type diode
Redresseur
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
75ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
225A
Détails du produit
Redresseurs à récupération ultra-rapide HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gamme de produits HEXFRED® de Vishay sont des redresseurs de récupération ultra-rapides qui contiennent une technologie planaire ultra-rapide avec une structure intérieure propriétaire basée sur la barrière Schottky qui permet un comportement de récupération rapide et souple à n'importe quelle condition de diF/dt. Ces caractéristiques signifient que les produits HEXFRED® sont bien adaptés pour une utilisation comme diode d'accompagnement pour les IGBT et MOSFET.
Caractéristiques
Temps de récupération ultra-rapide
Récupération ultra-douce
Très faible IRRM
Très faible Qrr
Réduit les interférences de fréquence radio (RFI) et électromagnétiques (EMI)
Perte de puissance réduite dans la diode et le transistor de commutation
Butée réduite
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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€ 9,84
€ 9,84 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 9,84 |
| 10 - 24 | € 9,36 |
| 25 - 49 | € 8,84 |
| 50 - 99 | € 8,36 |
| 100+ | € 7,87 |
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Tension inverse de crête répétitive
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Configuration de diode
Cathode commune
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Type diode
Redresseur
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2V
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2
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Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête
75ns
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Redresseurs à récupération ultra-rapide HEXFRED®, Vishay Semiconductor
La gamme de produits HEXFRED® de Vishay sont des redresseurs de récupération ultra-rapides qui contiennent une technologie planaire ultra-rapide avec une structure intérieure propriétaire basée sur la barrière Schottky qui permet un comportement de récupération rapide et souple à n'importe quelle condition de diF/dt. Ces caractéristiques signifient que les produits HEXFRED® sont bien adaptés pour une utilisation comme diode d'accompagnement pour les IGBT et MOSFET.
Caractéristiques
Temps de récupération ultra-rapide
Récupération ultra-douce
Très faible IRRM
Très faible Qrr
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