Documents techniques
Spécifications
Type de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Fréquence de fonctionnement maximum
60 Hz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.3 x 4.7 x 16mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors haute tension, en Semiconductors
Bipolar Transistors, WeEn Semiconductors
€ 15,41
€ 0,308 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 15,41
€ 0,308 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Type de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Fréquence de fonctionnement maximum
60 Hz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.3 x 4.7 x 16mm
Pays d'origine
China
Détails du produit