Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType du produit
Diode
Type de support
Surface
Type de Boitier
TO-252
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
600V
Configuration de diode
Single
Séries
Z-Rec
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
100μA
Température d'utilisation minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
110A
Tension directe maximale Vf
2.4V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
7.52 mm
Taille
2.39mm
Longueur
7.34mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
Comportement de commutation indépendant de la température
Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
Tension directe à coefficient de température positif
Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
Réduction des exigences en termes de dissipation
Optimisées pour les applications de diode à amplification PFC
Diodes and Rectifiers, Cree Wolfspeed
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 92,79
€ 1,237 Each (In a Tube of 75) (hors TVA)
75
€ 92,79
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
75
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Diode
Type de support
Surface
Type de Boitier
TO-252
Courant continu direct maximum If
4A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
600V
Configuration de diode
Single
Séries
Z-Rec
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Courant inverse crête Ir
100μA
Température d'utilisation minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
110A
Tension directe maximale Vf
2.4V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
7.52 mm
Taille
2.39mm
Longueur
7.34mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
Comportement de commutation indépendant de la température
Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
Tension directe à coefficient de température positif
Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
Réduction des exigences en termes de dissipation
Optimisées pour les applications de diode à amplification PFC


