Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de montage
CMS
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Courant direct continu maximum
32A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2.4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
860A
Détails du produit
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
Comportement de commutation indépendant de la température
Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
Tension directe à coefficient de température positif
Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
Réduction des exigences en termes de dissipation
Optimisées pour les applications de diode à amplification PFC
Diodes and Rectifiers, Cree Wolfspeed
€ 111,78
€ 4,471 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 111,78
€ 4,471 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
25 - 70 | € 4,471 | € 22,36 |
75 - 145 | € 4,21 | € 21,05 |
150 - 220 | € 3,946 | € 19,73 |
225+ | € 3,867 | € 19,34 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de montage
CMS
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Courant direct continu maximum
32A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
2.4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
860A
Détails du produit
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
Comportement de commutation indépendant de la température
Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
Tension directe à coefficient de température positif
Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
Réduction des exigences en termes de dissipation
Optimisées pour les applications de diode à amplification PFC