Non Diode Wolfspeed Diode Schottky Simple, 1200 V, , 19 A 3 broches TO-252
Documents techniques
Spécifications
Brand
WolfspeedType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
TO-252
Courant continu direct maximum If
19A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
3V
Courant inverse crête Ir
300μA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
42A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
6.25 mm
Hauteur
2.39mm
Longueur
7.34mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
• Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
• Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
• Tension directe à coefficient de température positif
• Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
• Réduction des exigences en termes de dissipation
• Optimisées pour les applications de diode à amplification PFC
Diodes and Rectifiers, Cree Wolfspeed
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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1200V
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
3
Tension directe maximale Vf
3V
Courant inverse crête Ir
300μA
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
42A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
6.25 mm
Hauteur
2.39mm
Longueur
7.34mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes Schottky en carbure de silicium Z-Rec™, Wolfspeed
Une gamme de diodes Schottky SiC (carbure de silicium) de Wolfspeed qui offrent d'importantes améliorations par rapport aux diodes barrières Schottky standards. Les diodes SiC fournissent une intensité de champ d'isolement beaucoup plus élevée et une plus grande conductivité thermique, couplées à une réduction significative des pertes de puissance aux fréquences de commutation élevées. Les diodes SiC sont la solution idéale pour les applications haute tension à rendement élevé telles que les alimentations à découpage et les inverseurs ultrarapides.
• Tensions nominales : 600, 650, 1 200 et 1 700 V
• Aucun courant de récupération inverse ni tension de récupération directe
• Comportement de commutation indépendant de la température
• Temps de commutation extrêmement rapides avec un minimum de pertes
• Tension directe à coefficient de température positif
• Les dispositifs peuvent être mis en parallèle sans emballement thermique
• Réduction des exigences en termes de dissipation
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