Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
90 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
6 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 2.9 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
90 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
6 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 2.9 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit