Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
-25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Nombre de broche
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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10
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Brand
NXPType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
-25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Nombre de broche
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.