Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 14,74
€ 0,295 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 14,74
€ 0,295 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 95 | € 0,295 | € 1,47 |
100 - 495 | € 0,257 | € 1,28 |
500 - 995 | € 0,226 | € 1,13 |
1000+ | € 0,204 | € 1,02 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.