Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-250 V
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Gain en courant DC minimum
75
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
250 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
€ 57,88
€ 1,929 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 57,88
€ 1,929 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,929 | € 57,88 |
120 - 480 | € 1,653 | € 49,59 |
510 - 990 | € 1,469 | € 44,08 |
1020+ | € 1,31 | € 39,29 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-250 V
Type de boîtier
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Gain en courant DC minimum
75
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
250 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.