Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
10 A (continu), 15 A (crête)
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V dc
Type de conditionnement
TO-218
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
20
Tension Collecteur Base maximum
100 V dc
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
4 V dc
Courant de coupure Collecteur maximum
0.7mA
Hauteur
20.35mm
Largeur
4.9mm
Dissipation de puissance maximum
80 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Dimensions
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.2mm
Courant de base
3A
Pays d'origine
China
€ 49,63
€ 1,654 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 49,63
€ 1,654 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,654 | € 49,63 |
120 - 480 | € 1,356 | € 40,69 |
510 - 990 | € 1,15 | € 34,50 |
1020 - 2490 | € 1,025 | € 30,76 |
2520+ | € 1,024 | € 30,73 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
10 A (continu), 15 A (crête)
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V dc
Tension Emetteur Base maximum
5 V dc
Type de conditionnement
TO-218
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
20
Tension Collecteur Base maximum
100 V dc
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
4 V dc
Courant de coupure Collecteur maximum
0.7mA
Hauteur
20.35mm
Largeur
4.9mm
Dissipation de puissance maximum
80 W
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Dimensions
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.2mm
Courant de base
3A
Pays d'origine
China