Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Courant direct continu maximum
100mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
750mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 28,55
€ 0,114 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 28,55
€ 0,114 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
250 - 450 | € 0,114 | € 5,71 |
500 - 1200 | € 0,102 | € 5,12 |
1250 - 2450 | € 0,092 | € 4,62 |
2500+ | € 0,088 | € 4,39 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Courant direct continu maximum
100mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
750mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.