Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
1.2 to 3.0mA
Tension Drain Source maximum
10 V
Tension Grille Source maximum
-30 V
Tension Drain Grille maximum
-50V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SMini
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Largeur
1.5mm
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
JFET canal N Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 3,47
€ 0,347 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 3,47
€ 0,347 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,347 | € 3,47 |
100+ | € 0,217 | € 2,17 |
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Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
1.2 to 3.0mA
Tension Drain Source maximum
10 V
Tension Grille Source maximum
-30 V
Tension Drain Grille maximum
-50V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
SMini
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Largeur
1.5mm
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
JFET canal N Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.