MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 1,3 A 8 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
8 V
Type de conditionnement
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Commutateur en charge N+P
Tension Grille Source maximum
+8 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 5,73
€ 0,286 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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1V
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Tension Grille Source maximum
+8 V
Largeur
1.35mm
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Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
2
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor
Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.
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