MOSFET onsemi canal P, SOT-563 430 mA 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
430 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-563
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
280 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.3mm
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,7 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.6mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 380,48
€ 0,095 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
€ 380,48
€ 0,095 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
430 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-563
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
280 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.3mm
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,7 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.6mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.