MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET F7
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.35mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 817,79
€ 0,818 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
9.35mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
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Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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