MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 12 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh DM2
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
290 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
10.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
9.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.6mm
Tension directe de la diode
1.6V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 13,81
€ 2,763 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,763 | € 13,81 |
| 10 - 95 | € 2,351 | € 11,76 |
| 100 - 495 | € 1,843 | € 9,21 |
| 500+ | € 1,554 | € 7,77 |
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N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh DM2
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
290 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
90 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
10.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
9.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.6mm
Tension directe de la diode
1.6V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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