MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 5,8 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
9.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
46,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 425,94
€ 1,426 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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3
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
46,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
4.6mm
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