MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 80 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Séries
STripFET F3
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
8.5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3 027,19
€ 1,211 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
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