MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 2,5 A 800 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Séries
MDmesh K5, SuperMESH5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
2,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.4mm
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2 652,73
€ 0,884 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Séries
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Résistance Drain Source maximum
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
38 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.4mm
Taille
0.95mm
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