MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 2,5 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 829-4436Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP3N80K5
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

2.5 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Série

MDmesh K5, SuperMESH5

Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

3.5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

60000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

+30 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 8,61

€ 1,723 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 2,5 A 800 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 8,61
10€ 17,23
15€ 25,84
20€ 34,45
25€ 40,83
30€ 49,00
35€ 57,17
40€ 65,33
45€ 73,50
50€ 73,65
55€ 81,01
60€ 88,38
65€ 95,74
70€ 103,11
75€ 110,47

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35€ 57,17
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45€ 73,50
50€ 73,65
55€ 81,01
60€ 88,38
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 1,723€ 8,61
25 - 45€ 1,633€ 8,17
50 - 120€ 1,473€ 7,36
125 - 245€ 1,326€ 6,63
250+€ 1,258€ 6,29

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

2.5 A

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Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

3.5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

60000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

+30 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

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