MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 5,8 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
46,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 115,80
€ 2,316 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
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30 W
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Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
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Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
46,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Taille
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