MOSFET Texas Instruments canal N, D2PAK (TO-263) 272 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
272 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
NexFET
Type d'emballage
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
118 nC @ 0 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 4,91
€ 4,91 Each (hors TVA)
Standard
1
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
118 nC @ 0 V
Température d'utilisation maximum
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Taille
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