MOSFET Toshiba canal N, PW moulé 2 5 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
PW moulé 2
Séries
2SK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Largeur
2.3mm
Taille
5.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 5,68
€ 0,284 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,284 | € 5,68 |
| 60 - 100 | € 0,248 | € 4,97 |
| 120 - 220 | € 0,213 | € 4,26 |
| 240 - 460 | € 0,208 | € 4,16 |
| 480+ | € 0,202 | € 4,04 |
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N
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5 A
Tension Drain Source maximum
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2SK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
20 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Largeur
2.3mm
Taille
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