MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAK 1212-8 6 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Vishay SiliconixType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
TrenchFET
Type d'emballage
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
27.8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Standard automobile
AEC-Q101
Taille
1.07mm
Pays d'origine
China
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€ 814,98
€ 0,272 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Série
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CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
27.8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
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2
Largeur
3.15mm
Longueur
3.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
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