MOSFET Vishay canal P, SOIC 6,5 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
34 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
41,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 70,21
€ 0,702 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 70,21
€ 0,702 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,702 | € 14,04 |
| 200 - 480 | € 0,596 | € 11,91 |
| 500 - 980 | € 0,553 | € 11,06 |
| 1000+ | € 0,529 | € 10,58 |
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P
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CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
34 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
3.2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
41,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.55mm
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