MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 9,6 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 818-1380Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI7121DN-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

9,6 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de boîtier

PowerPAK 1212-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

26 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

27.8 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

33 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.07mm

Température de fonctionnement minimum

-50 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 10,11

€ 1,011 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 9,6 A 30 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 10,11
20€ 20,22
30€ 30,33
40€ 40,44
50€ 50,55
60€ 60,66
70€ 70,77
80€ 80,88
90€ 90,99
100€ 80,79
110€ 88,87
120€ 96,94
130€ 105,02
140€ 113,10
150€ 121,18

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,011€ 10,11
100 - 240€ 0,808€ 8,08
250 - 490€ 0,627€ 6,27
500 - 990€ 0,555€ 5,55
1000+€ 0,474€ 4,74

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Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

9,6 A

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Type de boîtier

PowerPAK 1212-8

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

26 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

27.8 W

Configuration du transistor

Single

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Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.15mm

Charge de Grille type @ Vgs

33 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

3.15mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.07mm

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