MOSFET Vishay canal P, PowerPAK 1212-8 23 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
92 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.78mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 91,56
€ 0,458 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,458 | € 9,16 |
| 500 - 980 | € 0,405 | € 8,09 |
| 1000 - 1980 | € 0,348 | € 6,96 |
| 2000+ | € 0,29 | € 5,80 |
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VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
TrenchFET
Type de conditionnement
PowerPAK 1212-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
57 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
92 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.78mm
Température de fonctionnement minimum
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