MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 8,2 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
8,2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
29 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 7,64
€ 0,382 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.6 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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Température de fonctionnement minimum
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