MOSFET DiodesZetex canal P, SO-8 6,5 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
52 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1,6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.9mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.5mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 336,40
€ 0,135 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 336,40
€ 0,135 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.5 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
52 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1,6 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.9mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.5mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.