Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10.4 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
10.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 5 V
Largeur
7.67mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1,54
€ 0,769 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 1,54
€ 0,769 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 24 | € 0,769 | € 1,54 |
26+ | € 0,522 | € 1,04 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
10.4 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
10.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 5 V
Largeur
7.67mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
2.39mm
Pays d'origine
China
Détails du produit