Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor canal N, TO-220AB 12 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
650 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
225 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.1mm
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.4mm
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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N
Courant continu de Drain maximum
12 A
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600 V
Type de boîtier
TO-220AB
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
650 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
225 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
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