MOSFET Infineon canal N, TDSON 137 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 906-4296Marque: InfineonN° de pièce Mfr: BSC028N06NSATMA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

137 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de conditionnement

TDSON

Séries

OptiMOS™ 5

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

4.2 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.3V

Tension de seuil minimale de la grille

2.1V

Dissipation de puissance maximum

100000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.35mm

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

37 nC @ 10 V

Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 19,85

€ 1,985 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 1,985€ 19,85
50 - 90€ 1,886€ 18,86
100 - 240€ 1,807€ 18,06
250 - 490€ 1,727€ 17,27
500+€ 1,608€ 16,08

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137 A

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Séries

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CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

4.2 mΩ

Mode de canal

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3.3V

Tension de seuil minimale de la grille

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Largeur

5.35mm

Matériau du transistor

Si

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150 °C

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1

Longueur

6.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

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Tension directe de la diode

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