Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
137 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TDSON
Séries
OptiMOS™ 5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.3V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 19,85
€ 1,985 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 19,85
€ 1,985 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,985 | € 19,85 |
50 - 90 | € 1,886 | € 18,86 |
100 - 240 | € 1,807 | € 18,06 |
250 - 490 | € 1,727 | € 17,27 |
500+ | € 1,608 | € 16,08 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
137 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TDSON
Séries
OptiMOS™ 5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.3V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.