MOSFET Infineon canal P, TDSON 100 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
OptiMOS P
Type de conditionnement
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 14,37
€ 1,437 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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P
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100 A
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Séries
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Type de conditionnement
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
4.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
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Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
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MOSFET Transistors, Infineon
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