MOSFET Infineon canal N, SOT-223 1,2 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
OptiMOS™
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
800 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à petits signaux OptiMOS™ d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 300,36
€ 0,30 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
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1.8 W
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Single
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±20 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.6mm
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